作为全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，长电科技具备面向5G基站射频器件的一站式封测解决方案，并积累了丰富的量产经验。
近年来5G商用的不断提速，5G基站建设规模不断扩大。数据显示截至今年五月，中国5G基站总数已达到284.4万个。5G基站中的射频器件作为无线通信的核心器件，需要不断提升性能，支撑5G的规模化发展和多场景融合。
从封测角度看，5G基站的射频器件从大功率器件到小信号器件、从Sub6G频段到24G毫米波频段；从发射端的增益放大器，驱动，末级和为之组成发射链路的电桥、变压器、衰减器、滤波器、检波器、射频开关、功分器等，到接收机的多通道射频前端模组，基本涵盖了分立元件到系统级封装的所有封装工艺。
长电科技凭借数十年的技术积累，已拥有完备的5G基站射频器件封装技术，从大功率器件专用的塑料封装, 陶瓷封装, 塑料空腔封装，到通用的SOT, TO, QFN, DFN, LGA，以及Flipchip封装、Chiplet先进封装、FO-WLBGA封装等，可满足日益增加的高性能、高集成度的5G基础设施射频器件的需求，加速5G基站的建设部署和多场景融合，同时通过成熟的5G基站射频器件的封装工艺，尤其是高集成度的射频器件工艺，可以应用到其它的射频芯片领域。
同时，长电科技可提供射频器件的定制化硅基集成被动器件以及管芯级设计套件；提供射频器件的热、力、电仿真服务，各个频段的芯片级测试和完整的可靠性验证。此外，长电科技依托与全球客户深入合作磨练出的工艺核心能力，在射频器件封测领域积累了丰富的量产经验和高水平技术人才团队。
针对5G网络在各应用领域的积极部署，长电科技将持续投入全球领先的射频封测技术与服务，进一步强化差异化的竞争优势。
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