据韩媒ChosunBiz报道，业内人士本月4日分析称，三星电子、台积电的3nm工艺良品率目前都在50%左右。
报道称，此前有消息表示三星电子的3nm良品率超过60%，且已经向中国客户交付了一款芯片，但由于该工艺省略了逻辑芯片中的SRAM，因此很难将其视为“完整的3nm芯片”。一位熟悉三星的人士透露，“要赢得高通等大客户明年的3nm移动芯片订单，良品率至少需要提高到70%。”
至于台积电，虽然作为目前唯一一家拥有3nm量产记录的公司，但其产量同样低于最初预期。有分析师表示，台积电3nm工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能“未能控制”过热问题。
此外，一位半导体业内人士透露称，三星、台积电和英特尔都在准备2nm工艺，但与3nm相比，性能和功耗效率的提升“并不明显”，因此预计3nm工艺芯片的需求持续时间将超过预期。
